![IMT1AT110](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-mmqa5v6t1g-6207.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
50V
2
120
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
1996
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
300mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-150mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*MT1
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
功率耗散
300mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
140MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
150mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 5mA, 50mA
最高频率
100MHz
转换频率
140MHz
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
-60V
发射极基极电压 (VEBO)
-6V
VCEsat-最大值
0.5 V
高度
1.1mm
长度
2.9mm
宽度
1.6mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IMT1AT110
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