![RFL1N10](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
RFL1N10
-
Description: 1000mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
No
Active
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
1 A
1
METAL
ROUND
CYLINDRICAL
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
端子表面处理
TIN LEAD
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-205AF
漏极-源极导通最大电阻
1.2 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
25 pF
RFL1N10 PDF数据手册
- 数据表 :