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RFL1N10

型号:

RFL1N10

封装:

-

描述:

Description: 1000mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • No

  • Active

  • ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • 1 A

  • 1

  • METAL

  • ROUND

  • CYLINDRICAL

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    No

  • 端子表面处理

    TIN LEAD

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-205AF

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1.2 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    25 pF

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