![FDV305N](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
FDV305N
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900mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Active
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
0.9 A
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
端子表面处理
MATTE TIN
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.22 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
FDV305N PDF数据手册
- 数据表 :