![R1LP0108ESN-5SI#B0](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-m5m51008dfp55hibt-1017.jpg)
R1LP0108ESN-5SI#B0
32-SOIC (0.450, 11.40mm Width)
In a Bag of 2, Renesas Electronics SRAM, R1LP0108ESN-5SI#B0- 1Mbit
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
20 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
32-SOIC (0.450, 11.40mm Width)
表面安装
YES
Volatile
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
32
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 供电
4.5V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源
5V
电源电压-最小值(Vsup)
4.5V
内存大小
1Mb 128K x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.035mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
待机电流-最大值
0.000002A
记忆密度
1048576 bit
访问时间(最大)
55 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
2V
长度
20.75mm
座位高度(最大)
3.05mm
宽度
11.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseMemory TypeSupply VoltageRoHS StatusPbfree CodeMemory FormatOperating TemperatureMemory Interface
-
R1LP0108ESN-5SI#B0
32-SOIC (0.450, 11.40mm Width)
Volatile
5 V
ROHS3 Compliant
yes
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
Parallel
-
32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
Volatile
5 V
ROHS3 Compliant
yes
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
Parallel
-
32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
Volatile
5 V
ROHS3 Compliant
yes
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
Parallel
-
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
Volatile
-
ROHS3 Compliant
yes
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
Parallel
-
28-SOIC (0.330, 8.38mm Width)
Volatile
-
ROHS3 Compliant
yes
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
Parallel
R1LP0108ESN-5SI#B0 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
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