![CY62128ELL-45SXI](https://static.esinoelec.com/200dimg/cypresssemiconductorcorp-cy14e256lasz45xi-8063.jpg)
CY62128ELL-45SXI
32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62128ELL-45SXI. IC, SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 45NS, SOIC-32
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
引脚数
32
质量
766.089163mg
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
系列
MoBL®
已出版
2001
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
32
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
电压 - 供电
4.5V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
5V
频率
1MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
CY62128
引脚数量
32
工作电源电压
5V
电源
5V
电压
5V
内存大小
1Mb 128K x 8
端口的数量
1
电源电流
16mA
最大电源电流
16mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
写入周期时间 - 字符、页面
45ns
地址总线宽度
17b
密度
1 Mb
待机电流-最大值
0.000004A
访问时间(最大)
45 ns
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
高度
2.997mm
长度
20.75mm
宽度
11.43mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthFrequencySupply VoltageTime@Peak Reflow Temperature-Max (s)
-
CY62128ELL-45SXI
32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
32
Volatile
1 Mb
17 b
1 MHz
5 V
30
-
32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
32
Volatile
1 Mb
17 b
45 GHz
3 V
30
-
32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)
32
Volatile
1 Mb
17 b
45 GHz
3 V
30
-
32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
32
Volatile
1 Mb
17 b
-
5 V
30
-
SOIC
32
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
1 Mb
17 b
-
3.3 V
30
CY62128ELL-45SXI PDF数据手册
- 数据表 : CY62128E CY62128ELL-45SXI-Cypress-Semiconductor-datasheet-10673748.pdf CY62128ELL-45SXI-Cypress-Semiconductor-datasheet-16249473.pdf CY62128ELL-45SXI-Cypress-Semiconductor-datasheet-516073.pdf CY62128ELL-45SXI-Cypress-Semiconductor-datasheet-83967903.pdf CY62128ELL-45SXI-Cypress-Semiconductor-datasheet-14153077.pdf CY62128ELL-45SXI-Cypress-Semiconductor-datasheet-17703207.pdf CY62128ELL-45SXI-Cypress-Semiconductor-datasheet-27566684.pdf
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :