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HZM11NB1TR-E

型号:

HZM11NB1TR-E

品牌:

Renesas

封装:

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

描述:

HZM11N - ZENER DIODE

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    3-MPAK

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    3

  • 厂商

    Renesas

  • Bulk

  • Obsolete

  • 30 Ohms

  • MPAK-3

  • SMALL OUTLINE

  • 1

  • PLASTIC/EPOXY

  • PLSP0003ZC-A3

  • 20

  • 11 V

  • 150 °C

  • Yes

  • HZM11NB1TR-E

  • 0.2 W

  • RECTANGULAR

  • Renesas Electronics Corporation

  • 1

  • Obsolete

  • RENESAS TECHNOLOGY CORP

  • 5.69

  • MPAK

  • 系列

    -

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 容差

    ±2.06%

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    Yes

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN BISMUTH

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 子类别

    Voltage Reference Diodes

  • 技术

    ZENER

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    Not Qualified

  • Renesas

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    SINGLE

  • 二极管类型

    ZENER DIODE

  • 反向泄漏电流@ Vr

    2 μA @ 8 V

  • 功率 - 最大

    200 mW

  • 电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

    10.66 V

  • 最大电压允差

    2.06%

  • 工作测试电流

    5 mA

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