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HZU3.0B1TRF-E

型号:

HZU3.0B1TRF-E

封装:

-

描述:

DIODE ZENER

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    1 Week

  • 表面安装

    YES

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • 厂商

    Renesas Electronics America Inc

  • Bulk

  • Active

  • Military

  • URP

  • 0.05(mA)

  • -55C to 150C

  • 120

  • No

  • 5(mA)

  • Surface Mount

  • R-PDSO-G2

  • SMALL OUTLINE

  • 1

  • PLASTIC/EPOXY

  • PTSP0002ZA-A2

  • NOT SPECIFIED

  • 2.93 V

  • 150 °C

  • Yes

  • HZU3.0B1TRF-E

  • 0.2 W

  • RECTANGULAR

  • Renesas Electronics Corporation

  • 1

  • Obsolete

  • RENESAS ELECTRONICS CORP

  • 7.69

  • URP

  • 系列

    *

  • 包装

    Tape and Reel

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    Yes

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Voltage Regulator

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 子类别

    Voltage Reference Diodes

  • 技术

    ZENER

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • Renesas

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    Single

  • 二极管类型

    ZENER DIODE

  • 功率耗散

    0.2(W)

  • 齐纳电压

    2.9

  • 最大电压允差

    4.27%

  • 工作测试电流

    5 mA

  • 电压允差

    4%

  • 动态阻抗-最大值

    120 Ω

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