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HVB14STR-E

型号:

HVB14STR-E

品牌:

Renesas

封装:

-

描述:

50V, SILICON, PIN DIODE

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    3

  • R-PDSO-G3

  • SMALL OUTLINE

  • 1

  • PLASTIC/EPOXY

  • 20

  • Yes

  • HVB14STR-E

  • 0.1 W

  • RECTANGULAR

  • Renesas Electronics Corporation

  • 2

  • Transferred

  • RENESAS TECHNOLOGY CORP

  • 5.16

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    Yes

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN BISMUTH

  • 应用

    ATTENUATOR

  • HTS代码

    8541.10.00.80

  • 技术

    POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS

  • 二极管类型

    PIN DIODE

  • 击穿电压-最小值

    50 V

  • 二极管正向电阻-最大值

    7 Ω

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