规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
DO-204AH, DO-35, Axial
表面安装
NO
供应商器件包装
DO-35
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
厂商
Renesas Electronics America Inc
Bulk
Active
O-LALF-W2
LONG FORM
1
GLASS
NOT SPECIFIED
175 °C
Yes
1SS83TD-E
0.4 W
ROUND
Renesas Electronics Corporation
1
Obsolete
RENESAS ELECTRONICS CORP
5.51
系列
-
JESD-609代码
e2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN COPPER
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.70
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
二极管类型
RECTIFIER DIODE
反向泄漏电流@ Vr
200 nA @ 250 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 100 mA
箱体转运
ISOLATED
工作温度 - 结点
175°C
输出电流-最大值
0.2 A
电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
250 V
平均整流电流（Io）
200mA
JEDEC-95代码
DO-35
电容@Vr, F
1.5pF @ 0V, 1MHz
反向恢复时间-最大值
0.1 µs
反向恢复时间(trr)
100 ns