表面安装

NO

终端数量

8

No

Obsolete

RAYTHEON SEMICONDUCTOR

DIP, DIP8,.3

100 dB

125 °C

-55 °C

CERAMIC, GLASS-SEALED

DIP

DIP8,.3

RECTANGULAR

IN-LINE

8 V/us

15 V

JESD-609代码

e0

端子表面处理

TIN LEAD

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

2

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-GDIP-T8

资历状况

Not Qualified

温度等级

MILITARY

电源电流-最大值

13 mA

建筑学

VOLTAGE-FEEDBACK

放大器类型

OPERATIONAL AMPLIFIER

负电源电压(Vsup)

-15 V

统一增益 BW-（标准值）

10000

平均偏置电流-最大值 (IIB)

0.7 µA

低偏移

NO

频率补偿

YES

电源电压限制-最大值

22 V

最大偏置电流 (IIB) @25C

0.4 µA

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

输入失调电压-最大值

3000 µV

电压增益 - 最小值

20000