表面安装

NO

终端数量

14

No

Obsolete

RAYTHEON SEMICONDUCTOR

DIP, DIP14,.3

125 °C

-55 °C

CERAMIC, GLASS-SEALED

DIP

DIP14,.3

RECTANGULAR

IN-LINE

1300 ns

5 V

JESD-609代码

e0

端子表面处理

TIN LEAD

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

4

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-GDIP-T14

资历状况

Not Qualified

输出类型

OPEN-COLLECTOR

温度等级

MILITARY

电源电流-最大值

2.5 mA

放大器类型

COMPARATOR

平均偏置电流-最大值 (IIB)

0.3 μA

电源电压限制-最大值

36 V

最大偏置电流 (IIB) @25C

0.1 μA

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

输入失调电压-最大值

4000 μV