表面安装

NO

终端数量

24

No

Obsolete

RAYTHEON SEMICONDUCTOR

120 ns

2048 words

64000

70 °C

CERAMIC

DIP

DIP24,.6

RECTANGULAR

IN-LINE

5 V

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.71

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-XDIP-T24

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.155 mA

组织结构

64KX8

内存宽度

8

记忆密度

524288 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

OTP ROM