表面安装

NO

终端数量

24

No

Obsolete

RAYTHEON SEMICONDUCTOR

75 ns

1024 words

1000

125 °C

-55 °C

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

DIP

DIP24,.6

RECTANGULAR

IN-LINE

5 V

JESD-609代码

e0

端子表面处理

TIN LEAD

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-CDIP-T24

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.17 mA

组织结构

1KX8

内存宽度

8

记忆密度

8192 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

OTP ROM