规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
NI-400
65 V
P-Channel
+ 85 C
- 40 C
Flange Mount
19 A
技术
GaN-on-SiC
工作频率
2 GHz
输出功率
56.3 dBm
增益
20.6 dB
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NI-400
65 V
P-Channel
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工作频率
2 GHz
输出功率
56.3 dBm
增益
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