你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

MTM684110LBF

型号:

MTM684110LBF

封装:

8-SMD, Flat Lead

数据表:

MTM684110LBF

描述:

Panasonic MTM684110LBF Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.8 A, -12 V Depletion, 8-pin WMini8-F1

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SMD, Flat Lead

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 4.8A

  • 2

  • 270 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2008

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    1W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 基本部件号

    MTM68411

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1W

  • 接通延迟时间

    9 ns

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    32m Ω @ 1A, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1400pF @ 10V

  • 上升时间

    11ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    12V

  • 下降时间(典型值)

    160 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -4.8A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.032Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    12V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • 栅源电压

    -650 mV

  • 高度

    780μm

  • 长度

    2.9mm

  • 宽度

    2.4mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

0 类似产品

相关型号