DRA2123Y0L
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
50V
1
30
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55
HTS代码
8541.21.00.95
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
DRA2123
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
-50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
30 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
250mV @ 500μA, 10mA
最大击穿电压
50V
电阻基(R1)
2.2 k Ω
连续集电极电流
-100mA
电阻-发射极基极(R2)
10 k Ω
高度
1.1mm
长度
2.9mm
宽度
1.5mm
RoHS状态
RoHS Compliant
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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100 mA
-
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DRA2123Y0L PDF数据手册
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