你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

DRA5114E0L

型号:

DRA5114E0L

封装:

SC-85

数据表:

DRA5114E0L

描述:

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SC-85

  • 引脚数

    85

  • 50V

  • 1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

  • 最大功率耗散

    150mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 基本部件号

    DRA5114

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F3

  • 极性

    PNP

  • 元素配置

    Single

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 晶体管类型

    PNP - Pre-Biased

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    -50V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    35 @ 5mA 10V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    250mV @ 500μA, 10mA

  • 最大击穿电压

    50V

  • 电阻基(R1)

    10 k Ω

  • 连续集电极电流

    -100mA

  • 电阻-发射极基极(R2)

    10 k Ω

  • 高度

    800μm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    1.25mm

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

0 类似产品

相关型号

DRA5114E0L PDF数据手册