![SB1100](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-1n5956brlg-0559.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
DO-204AL, DO-41, Axial
引脚数
2
供应商器件包装
DO-204AL (DO-41)
质量
245mg
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
100V
额定电流
1A
基本部件号
SB1100
极性
Standard
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
500μA @ 100V
输出电流
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
850mV @ 1A
正向电流
1A
最大反向漏电电流
500μA
工作温度 - 结点
-65°C~125°C
最大浪涌电流
30A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
100V
平均整流电流(Io)
1A
正向电压
850mV
最大反向电压(DC)
100V
平均整流电流
1A
峰值反向电流
500μA
最大重复反向电压(Vrrm)
100V
电容@Vr, F
110pF @ 4V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
30A
最大正向浪涌电流(Ifsm)
30A
直径
2.72mm
高度
5.2mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountForward VoltageForward CurrentMax Reverse Leakage CurrentCurrent RatingNumber of PinsDiode TypeCapacitance @ Vr, F
-
SB1100
Through Hole
850 mV
1 A
500 μA
1 A
2
Schottky
110pF @ 4V, 1MHz
-
Through Hole
550 mV
1 A
500 μA
1 A
2
Schottky
110pF @ 4V, 1MHz
-
Through Hole
900 mV
1 A
1 mA
1 A
2
Schottky
110pF @ 4V, 1MHz
-
Through Hole
700 mV
1 A
500 μA
1 A
2
Schottky
110pF @ 4V, 1MHz
SB1100 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :