![MBRD835LT4G](https://static.esinoelec.com/200dimg/littelfuseinc-mcr708at4g-9448.jpg)
MBRD835LT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Diode; Schottky Barrier; Vr 35V; If 8A; Pkg D-PAK; Vf 0.51V; Tj +150C; Cs 75A; Ir 35mA
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
1
包装
Cut Tape (CT)
系列
SWITCHMODE™
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
应用
POWER
附加功能
FREE WHEELING DIODE
HTS代码
8541.10.00.80
电压 - 额定直流
35V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
8A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MBRD835
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
极性
Standard
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
1.4mA @ 35V
输出电流
8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
510mV @ 8A
箱体转运
CATHODE
正向电流
8A
最大反向漏电电流
1.4mA
工作温度 - 结点
-65°C~150°C
最大浪涌电流
75A
无卤素
Halogen Free
正向电压
510mV
最大反向电压(DC)
35V
平均整流电流
8A
相位的数量
1
峰值反向电流
1.4mA
最大重复反向电压(Vrrm)
35V
峰值非恢复性浪涌电流
75A
最大正向浪涌电流(Ifsm)
75A
高度
2.2606mm
长度
6.1976mm
宽度
6.731mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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MBRD835LT4G PDF数据手册
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- 环境信息 :
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