![NUS5530MNR2G](https://static.esinoelec.com/200dimg/nxpusainc-mml25231ht1-2059.jpg)
NUS5530MNR2G
8-VDFN Exposed Pad
Integrated Power MOSFET with PNP 8-Pin DFN EP T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
8
1
35V PNP 20V P-Channel
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
应用
General Purpose
额定电流
2A PNP 3.9A P-Channel
最大功率耗散
2.5W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
3.9A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NUS5530MN
引脚数量
8
上升时间-最大值
55ns
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
635mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
Halogen Free
晶体管类型
NPN, P-Channel
集电极发射器电压(VCEO)
35V
最大集电极电流
2A
连续放电电流(ID)
-3.9A
栅极至源极电压(Vgs)
-35V
最高频率
100MHz
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20A
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
集电极基极电压(VCBO)
-55V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
最小直流增益(hFE)
100
漏源电阻
200Ohm
VCEsat-最大值
0.3 V
最大下降时间 (tf)
70ns
高度
950μm
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
NUS5530MNR2G PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :