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NUS5530MNR2G

型号:

NUS5530MNR2G

封装:

8-VDFN Exposed Pad

数据表:

NUS5530MN

描述:

Integrated Power MOSFET with PNP 8-Pin DFN EP T/R

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-VDFN Exposed Pad

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • 1

  • 35V PNP 20V P-Channel

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 应用

    General Purpose

  • 额定电流

    2A PNP 3.9A P-Channel

  • 最大功率耗散

    2.5W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    3.9A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    NUS5530MN

  • 引脚数量

    8

  • 上升时间-最大值

    55ns

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    635mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 晶体管类型

    NPN, P-Channel

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    35V

  • 最大集电极电流

    2A

  • 连续放电电流(ID)

    -3.9A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    -35V

  • 最高频率

    100MHz

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    20A

  • DS 击穿电压-最小值

    20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 集电极基极电压(VCBO)

    -55V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    -5V

  • 最小直流增益(hFE)

    100

  • 漏源电阻

    200Ohm

  • VCEsat-最大值

    0.3 V

  • 最大下降时间 (tf)

    70ns

  • 高度

    950μm

  • 长度

    3.3mm

  • 宽度

    3.3mm

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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