你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

MLD1N06CLT4G

型号:

MLD1N06CLT4G

封装:

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

数据表:

MLD1N06CL

描述:

MOSFET 62V 1A N-Channel

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    OBSOLETE (Last Updated: 14 hours ago)

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 1

  • 4 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    SMARTDISCRETES™

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    750MOhm

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 应用

    General Purpose

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE

  • 电压 - 额定直流

    62V

  • 最大功率耗散

    40W

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    1A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MLD1N06C

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    40W

  • 接通延迟时间

    1.2 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 上升时间

    4ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    62V

  • 下降时间(典型值)

    3 ns

  • 晶体管类型

    NPN, N-Channel Gate-Drain, Source Clamp

  • 连续放电电流(ID)

    1A

  • 阈值电压

    1.5V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1A

  • 漏源击穿电压

    59V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    80 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    750mOhm

  • 栅源电压

    1.5 V

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

  • 无铅

    Lead Free

0 类似产品

MLD1N06CLT4G PDF数据手册