![MLD1N06CLT4G](https://static.esinoelec.com/200dimg/littelfuseinc-mcr708at4g-9448.jpg)
MLD1N06CLT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET 62V 1A N-Channel
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 14 hours ago)
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
1
4 ns
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SMARTDISCRETES™
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
750MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
应用
General Purpose
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
电压 - 额定直流
62V
最大功率耗散
40W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
1A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MLD1N06C
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
40W
接通延迟时间
1.2 ns
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
Halogen Free
上升时间
4ns
漏源电压 (Vdss)
62V
下降时间(典型值)
3 ns
晶体管类型
NPN, N-Channel Gate-Drain, Source Clamp
连续放电电流(ID)
1A
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
漏源击穿电压
59V
雪崩能量等级(Eas)
80 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
750mOhm
栅源电压
1.5 V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
MLD1N06CLT4G PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :