MMBTH10RG
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor, Bjt, Npn, 40V V(Br)Ceo, 50Ma I(C), Sot-23 Rohs Compliant: Yes
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
7 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
1
50
40V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
50mA
频率
450MHz
基本部件号
MMBTH10
元素配置
Single
输出功率
225mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
450MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
50mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 1mA 6V
转换频率
450MHz
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
4V
连续集电极电流
45mA
集电极-基极电容-最大值
0.6pF
宽度
1.3mm
长度
2.92mm
高度
930μm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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MMBTH10RG PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :