规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
质量
179mg
晶体管元件材料
SILICON
25V
1
60
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2002
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
25V
最大功率耗散
350mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
100mA
频率
650MHz
基本部件号
KSP10
元素配置
Single
功率耗散
350mW
增益带宽积
650MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
25V
最大集电极电流
50mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
60 @ 4mA 10V
转换频率
650MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
3V
集电极-基极电容-最大值
0.7pF
高度
4.58mm
长度
4.58mm
宽度
3.86mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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KSP10BU
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
25 V
50 mA
650 MHz
500 mV
60
350 mW
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
25 V
50 mA
650 MHz
-
60
350 mW
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
25 V
100 mA
-
500 mV
300
625 mW
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
30 V
20 mA
-
-
60
250 mW
KSP10BU PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :