![MMBD6050LT3G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-nup2105lt1g-6415.jpg)
MMBD6050LT3G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
NO
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
HTS代码
8541.10.00.70
电压 - 额定直流
70V
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBD6050
引脚数量
3
元素配置
Single
速度
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
100nA @ 50V
功率耗散
225mW
输出电流
200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1V @ 100mA
正向电流
200mA
最大反向漏电电流
100nA
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
最大浪涌电流
500mA
无卤素
Halogen Free
平均整流电流(Io)
200mA DC
正向电压
1.1V
最大反向电压(DC)
70V
平均整流电流
200mA
反向恢复时间
4 ns
峰值反向电流
100nA
最大重复反向电压(Vrrm)
70V
峰值非恢复性浪涌电流
500mA
恢复时间
4 ns
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseForward VoltageAverage Rectified CurrentCurrent - Average Rectified (Io)Max Reverse Leakage CurrentReverse Recovery TimeRecovery TimeForward Current
-
MMBD6050LT3G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1.1 V
200 mA
200mA (DC)
100 nA
4 ns
4 ns
200 mA
-
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1.1 V
200 mA
200mA (DC)
3 μA
4 ns
4 ns
200 mA
-
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1.1 V
200 mA
200mA (DC)
100 nA
4 ns
4 ns
200 mA
-
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1 V
200 mA
200mA (DC)
100 nA
4 ns
4 ns
200 mA
MMBD6050LT3G PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :