![BF245B](https://static.esinoelec.com/200dimg/microchiptechnology-11aa010ito-9503.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
底架
Through Hole
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
质量
200mg
-30V
1
包装
Bulk
已出版
2009
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
30V
额定电流
100mA
最大功率耗散
350mW
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
10mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
BF245
引脚数量
3
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
DEPLETION MODE
功率耗散
350mW
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
15V
晶体管类型
N-Channel JFET
连续放电电流(ID)
15mA
栅极至源极电压(Vgs)
-30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.1A
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
JUNCTION
最高频段
ULTRA HIGH FREQUENCY B
高度
4.58mm
长度
4.58mm
宽度
3.86mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Lead Free
BF245B PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- 到达声明 :