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PDTA114EE,115

型号:

PDTA114EE,115

品牌:

NXP USA Inc.

封装:

SC-75, SOT-416

数据表:

PDTA114E Series

描述:

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SC-75, SOT-416

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 100mA

  • 1

  • 150°C

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    PDTA114

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 功率 - 最大

    150mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP - Pre-Biased

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    30 @ 5mA 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    150mV @ 500μA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • 频率转换

    180MHz

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.15W

  • 电阻基(R1)

    10 k Ω

  • 电阻-发射极基极(R2)

    10 k Ω

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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