![PDTA123EMB,315](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SC-101, SOT-883
供应商器件包装
DFN1006B-3
Bulk
100 mA
厂商
NXP USA Inc.
Active
系列
-
功率 - 最大
250 mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 20mA, 5V
最大集极截止电流
1µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
180 MHz
电阻基(R1)
2.2 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
2.2 kOhms