![PCF8570P/F5,112](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-micrf022bn-3345.jpg)
PCF8570P/F5,112
8-DIP (0.300, 7.62mm)
NXP PCF8570P/F5,112 SRAM Memory, 2kbit, 2.56 V, 3400ns 8-Pin PDIP
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
8-DIP (0.300, 7.62mm)
表面安装
NO
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
已出版
1999
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
HTS代码
8542.39.00.01
电压 - 供电
2.5V~6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
250
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
2.54mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
PCF8570
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDIP-T8
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
6V
电源
3/5V
电源电压-最小值(Vsup)
2.5V
内存大小
2Kb 256 x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
100kHz
电源电流-最大值
0.0002mA
内存格式
SRAM
内存接口
I2C
组织结构
256X8
输出特性
OPEN-DRAIN
内存宽度
8
待机电流-最大值
4e-7A
记忆密度
2048 bit
并行/串行
SERIAL
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
1V
输出启用
NO
长度
9.5mm
座位高度(最大)
4.2mm
宽度
7.62mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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PCF8570P/F5,112 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN封装 :