![NAND512W3A2DZA6E](https://static.esinoelec.com/200image/6a43ced16b3da5f558c4c87aab01b878.jpg)
NAND512W3A2DZA6E
-
Flash, 64MX8, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
63
Type of enclosure
shielding
Dimension X
54.6mm
Dimension Y
85mm
Dimension Z
38.6mm
aluminium
Enclosure description
EMI/RFI shielding,
Enclosures application
designed for electronic circuits sensitive to electromagnetic interferences
Enclosure series
AW
with fixing lugs
See
Yes
Obsolete
NUMONYX
BGA
8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
12000 ns
67108864 words
64000000
85 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
TFBGA
BGA63,10X12,32
RECTANGULAR
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
3 V
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
SLC NAND TYPE
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
64MX8
座位高度-最大
1.05 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
536870912 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
4K
行业规模
16K
页面尺寸
512 words
准备就绪/忙碌
YES
长度
11 mm
宽度
9 mm
NAND512W3A2DZA6E PDF数据手册
- 数据表 :