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NAND512W3A2DZA6E

型号:

NAND512W3A2DZA6E

封装:

-

描述:

Flash, 64MX8, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    63

  • Type of enclosure

    shielding

  • Dimension X

    54.6mm

  • Dimension Y

    85mm

  • Dimension Z

    38.6mm

  • aluminium

  • Enclosure description

    EMI/RFI shielding,

  • Enclosures application

    designed for electronic circuits sensitive to electromagnetic interferences

  • Enclosure series

    AW

  • with fixing lugs

  • See

  • Yes

  • Obsolete

  • NUMONYX

  • BGA

  • 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63

  • 12000 ns

  • 67108864 words

  • 64000000

  • 85 °C

  • -40 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • TFBGA

  • BGA63,10X12,32

  • RECTANGULAR

  • GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • 3 V

  • 无铅代码

    Yes

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    SLC NAND TYPE

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 引脚数量

    63

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B63

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.7 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.03 mA

  • 组织结构

    64MX8

  • 座位高度-最大

    1.05 mm

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.00005 A

  • 记忆密度

    536870912 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    FLASH

  • 编程电压

    3 V

  • 数据轮询

    NO

  • 拨动位

    NO

  • 命令用户界面

    YES

  • 扇区/尺寸数

    4K

  • 行业规模

    16K

  • 页面尺寸

    512 words

  • 准备就绪/忙碌

    YES

  • 长度

    11 mm

  • 宽度

    9 mm

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