![NAND512R3A2AZB6E](https://static.esinoelec.com/200image/5b3a7fc08d71bb0c528af59f67919d4e.jpg)
NAND512R3A2AZB6E
-
Flash, 64MX8, 35ns, PBGA55, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-55
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
55
Yes
Obsolete
NUMONYX
BGA
TFBGA,
35 ns
67108864 words
64000000
85 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
TFBGA
RECTANGULAR
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
1.8 V
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
SLC NAND TYPE
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
55
JESD-30代码
R-PBGA-B55
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.015 mA
组织结构
64MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
记忆密度
536870912 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
长度
10 mm
宽度
8 mm