![NAND01GW3B2CZA6](https://static.esinoelec.com/200image/c58a573ad92d6203d20ca649f92648ff.jpg)
NAND01GW3B2CZA6
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Flash, 128MX8, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
63
Transferred
NUMONYX
BGA
TFBGA,
35 ns
134217728 words
128000000
85 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
TFBGA
RECTANGULAR
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
3 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
128MX8
座位高度-最大
1.05 mm
内存宽度
8
记忆密度
1073741824 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
长度
12 mm
宽度
9.5 mm
NAND01GW3B2CZA6 PDF数据手册
- 数据表 :