NTE66
TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-220
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
14(A)
100(V)
Military
TO-220
-55C to 150C
±20(V)
Enhancement
1
No
Through Hole
NTE66
NTE Electronics
Bag
14A (Tc)
10V
厂商
NTE Electronics, Inc
77W (Tc)
Active
TO-220, 3 PIN
FLANGE MOUNT
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
Yes
200 ns
RECTANGULAR
Active
NTE ELECTRONICS INC
300 ns
1.72
TO-220AB
14 A
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
类型
Power MOSFET
附加功能
HIGH RELIABILITY
子类别
FET General Purpose Power
技术
MOSFET (Metal Oxide)
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3 +Tab
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
极性
N
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
77(W)
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
160mOhm @ 8.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
640 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
100 V
Vgs（最大值）
±20V
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12 A
漏极-源极导通最大电阻
0.16 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
56 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级（Eas）
69 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
75 W
场效应管特性
-
环境耗散-最大值
75 W