规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-92
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Bag
Active
200mA (Ta)
4.5V, 10V
350mW (Ta)
NTE491
NTE Electronics
0.2(A)
60(V)
Military
TO-92
-55C to 150C
±20(V)
Enhancement
1
No
Through Hole
CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
CYLINDRICAL
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
Yes
ROUND
Active
NTE ELECTRONICS INC
2.14
0.2 A
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
类型
Small Signal
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-W3
资历状况
Not Qualified
极性
N
配置
SINGLE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
0.35(W)
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50 pF @ 25 V
漏源电压 (Vdss)
60 V
Vgs（最大值）
±20V
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
5 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
-
反馈上限-最大值 (Crss)
25 pF