安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-92

材料

Si

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

EAR99

-30

500

18(Min)

-65

150

No

TO-92

TO-92

Through Hole

5.33(Max)

5.2(Max)

4.2(Max)

3

Through Hole

NTE312

NTE Electronics

Bag

厂商

NTE Electronics, Inc

Active

CYLINDRICAL, O-PBCY-W3

CYLINDRICAL

PLASTIC/EPOXY

ROUND

1

Active

NTE ELECTRONICS INC

1.55

操作温度

-

系列

-

零件状态

Active

类型

JFET

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Other Transistors

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-W3

资历状况

Not Qualified

配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率 - 最大

360 mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4.5pF @ 15V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-92

信道型

N

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

反馈上限-最大值 (Crss)

1 pF

最高频段

VERY HIGH FREQUENCY BAND

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

5 mA @ 15 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

1 V @ 10 mA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

30 V

功率增益-最小值(Gp)

10 dB

RoHS状态

RoHS non-compliant