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JANTXV1N649-1

型号:

JANTXV1N649-1

封装:

DO-204AH, DO-35, Axial

数据表:

1N649-1

描述:

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    DO-204AH, DO-35, Axial

  • 引脚数

    2

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 1

  • 包装

    Bulk

  • 系列

    Military, MIL-PRF-19500/240

  • 已出版

    1997

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 附加功能

    METALLURGICALLY BONDED

  • HTS代码

    8541.10.00.70

  • 最大功率耗散

    1.5W

  • 终端形式

    WIRE

  • 引脚数量

    2

  • 参考标准

    MIL-19500

  • 资历状况

    Qualified

  • 元素配置

    Single

  • 速度

    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    50nA @ 600V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1V @ 400mA

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 最大反向漏电电流

    500nA

  • 工作温度 - 结点

    -65°C~175°C

  • 输出电流-最大值

    0.4A

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    600V

  • 平均整流电流(Io)

    400mA

  • 齐纳电压

    5.6V

  • Rep Pk反向电压-最大值

    600V

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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