规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
O-LALF-W2
LONG FORM
GLASS
-55 °C
NOT SPECIFIED
175 °C
Yes
1N6153AE3
3 W
ROUND
Microsemi Corporation
1
Active
MICROSEMI CORP
5.37
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
MATTE TIN
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-LALF-W2
极性
BIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
ISOLATED
Rep Pk反向电压-最大值
22.8 V
最大非代表峰值转速功率Dis
1500 W
击穿电压-最小值
28.5 V