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JAN1N6630U

型号:

JAN1N6630U

封装:

SQ-MELF, E

描述:

DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SQ-MELF, E

  • 表面安装

    YES

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 1

  • 包装

    Bulk

  • 系列

    Military, MIL-PRF-19500/590

  • 已出版

    1997

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN LEAD

  • 应用

    ULTRA FAST RECOVERY POWER

  • HTS代码

    8541.10.00.80

  • 端子位置

    END

  • 终端形式

    WRAP AROUND

  • 参考标准

    MIL-19500/590F

  • JESD-30代码

    O-LELF-R2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 速度

    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    2μA @ 900V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.4V @ 1.4A

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 工作温度 - 结点

    -65°C~150°C

  • 输出电流-最大值

    3A

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    900V

  • 平均整流电流(Io)

    1.4A

  • 相位的数量

    1

  • 反向恢复时间

    50ns

  • 最大非代表Pk前进电流

    75A

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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