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APTGT50DDA120T3G

型号:

APTGT50DDA120T3G

封装:

SP3

描述:

POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    36 Weeks

  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 安装类型

    Chassis Mount

  • 包装/外壳

    SP3

  • 引脚数

    32

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1.2kV

  • 2

  • 操作温度

    -40°C~175°C TJ

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    25

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN SILVER COPPER

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED

  • 最大功率耗散

    270W

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 引脚数量

    25

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X25

  • 配置

    Dual Boost Chopper

  • 元素配置

    Dual

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 功率 - 最大

    270W

  • 晶体管应用

    POWER CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.2kV

  • 最大集电极电流

    75A

  • 最大集极截止电流

    250μA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 输入电容

    3.6nF

  • 接通时间

    140 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.1V @ 15V, 50A

  • 关断时间-标准值(toff)

    610 ns

  • IGBT类型

    Trench Field Stop

  • NTC热敏电阻

    Yes

  • 输入电容(Cies)@Vce

    3.6nF @ 25V

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

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