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APTGT50A120T1G

型号:

APTGT50A120T1G

封装:

SP1

数据表:

APTGT50A120T1G

描述:

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 12-Pin Case SP-1

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    36 Weeks

  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 安装类型

    Chassis Mount

  • 包装/外壳

    SP1

  • 引脚数

    1

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1.2kV

  • 2

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    12

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN SILVER COPPER

  • 最大功率耗散

    277W

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 引脚数量

    12

  • 配置

    Half Bridge

  • 元素配置

    Dual

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 功率 - 最大

    277W

  • 晶体管应用

    MOTOR CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2.1V

  • 最大集电极电流

    75A

  • 最大集极截止电流

    250μA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 输入电容

    3.6nF

  • 接通时间

    140 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.1V @ 15V, 50A

  • 关断时间-标准值(toff)

    610 ns

  • IGBT类型

    Trench Field Stop

  • NTC热敏电阻

    Yes

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 输入电容(Cies)@Vce

    3.6nF @ 25V

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

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