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APTGT50A120T1G
SP1
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 12-Pin Case SP-1
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
36 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
Chassis Mount
包装/外壳
SP1
引脚数
1
晶体管元件材料
SILICON
1.2kV
2
操作温度
-40°C~150°C TJ
已出版
2012
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
12
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN SILVER COPPER
最大功率耗散
277W
端子位置
UPPER
终端形式
THROUGH-HOLE
引脚数量
12
配置
Half Bridge
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
277W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
2.1V
最大集电极电流
75A
最大集极截止电流
250μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
输入电容
3.6nF
接通时间
140 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
610 ns
IGBT类型
Trench Field Stop
NTC热敏电阻
Yes
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
3.6nF @ 25V
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
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