APTGT200U170D4G
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 280A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Yes
Obsolete
MICROSEMI CORP
MODULE
MODULE-4
1
1
150 °C
UNSPECIFIED
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
965 ns
330 ns
JESD-609代码
e1
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN SILVER COPPER
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-XUFM-X4
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
280 A
集电极-发射器电压-最大值
1700 V