APTGT150X120E3G
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Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, E3, 33 PIN
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
33
晶体管元件材料
SILICON
Yes
Obsolete
MICROSEMI CORP
ROHS COMPLIANT, E3, 33 PIN
1
6
150 °C
UNSPECIFIED
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
610 ns
350 ns
JESD-609代码
e1
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN SILVER COPPER
附加功能
AVALANCHE RATED
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
33
JESD-30代码
R-XUFM-X33
资历状况
Not Qualified
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
220 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
APTGT150X120E3G PDF数据手册
- 数据表 :