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APT65GP60B2G
TO-247-3 Variant
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3 Variant
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
600V
1
400V, 65A, 5 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
POWER MOS 7®
已出版
1999
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
TIN SILVER COPPER
附加功能
LOW CONDUCTION LOSS
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
833W
额定电流
100A
引脚数量
3
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
100A
接通时间
84 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 65A
关断时间-标准值(toff)
219 ns
IGBT类型
PT
闸门收费
210nC
集极脉冲电流(Icm)
250A
Td(开/关)@25°C
30ns/91ns
开关能量
605μJ (on), 896μJ (off)
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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APT65GP60B2G PDF数据手册
- 数据表 :