工厂交货时间

23 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

1.2kV

1

600V, 35A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

543W

额定电流

96A

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

POWER CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

3.9V

最大集电极电流

96A

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

36 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 35A

关断时间-标准值（toff)

222 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

150nC

集极脉冲电流（Icm）

140A

Td（开/关）@25°C

16ns/94ns

开关能量

750μJ (on), 680μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

辐射硬化

No

RoHS状态

RoHS Compliant

无铅

Lead Free