APT20N60BCF
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Description: Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
No
Obsolete
MICROSEMI CORP
TO-247AD
TO-247, 3 PIN
20 A
1
150 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-247AD
漏极-源极导通最大电阻
0.22 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
690 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
208 W
APT20N60BCF PDF数据手册
- 数据表 :