![W3H128M72E-667NBM](https://res.utmel.com/Images/category/Memory Cards, Modules.png)
W3H128M72E-667NBM
-
DRAM Module DDR2 SDRAM 1Gbyte
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
208
4A994.a
DRAM Module
1Gbyte
5
1.8G
72
1.25
667
PBGA
1.7
1.8
1.9
1375
-55
125
Military
Yes
8
6
No
BGA
Surface Mount
3.94(Max)
22.1(Max)
16.1(Max)
208
BGA,
GRID ARRAY
128000000
PLASTIC/EPOXY
-55 °C
0.5 ns
125 °C
No
W3H128M72E-667NBM
134217728 words
1.8 V
BGA
RECTANGULAR
Microsemi Corporation
Transferred
MICROSEMI CORP
5.43
BGA
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
208
JESD-30代码
R-PBGA-B208
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
128Mx72
内存宽度
72
记忆密度
9663676416 bit
锁相环
No
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
MULTI BANK PAGE BURST
自我刷新
Yes
RoHS状态
Supplier Unconfirmed
W3H128M72E-667NBM PDF数据手册
- datasheet.datasheets :