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W3H128M72E-667NBM

型号:

W3H128M72E-667NBM

品牌:

Microsemi

封装:

-

描述:

DRAM Module DDR2 SDRAM 1Gbyte

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    208

  • 4A994.a

  • DRAM Module

  • 1Gbyte

  • 5

  • 1.8G

  • 72

  • 1.25

  • 667

  • PBGA

  • 1.7

  • 1.8

  • 1.9

  • 1375

  • -55

  • 125

  • Military

  • Yes

  • 8

  • 6

  • No

  • BGA

  • Surface Mount

  • 3.94(Max)

  • 22.1(Max)

  • 16.1(Max)

  • 208

  • BGA,

  • GRID ARRAY

  • 128000000

  • PLASTIC/EPOXY

  • -55 °C

  • 0.5 ns

  • 125 °C

  • No

  • W3H128M72E-667NBM

  • 134217728 words

  • 1.8 V

  • BGA

  • RECTANGULAR

  • Microsemi Corporation

  • Transferred

  • MICROSEMI CORP

  • 5.43

  • BGA

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.36

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    208

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B208

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9 V

  • 温度等级

    MILITARY

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    128Mx72

  • 内存宽度

    72

  • 记忆密度

    9663676416 bit

  • 锁相环

    No

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 访问模式

    MULTI BANK PAGE BURST

  • 自我刷新

    Yes

  • RoHS状态

    Supplier Unconfirmed

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