![APTGT50SK170TG](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
SP4
安装类型
Chassis Mount
底架
Chassis Mount, Screw
引脚数
20
供应商器件包装
SP4
Details
1.7 kV
312 W
- 40 C
+ 100 C
20 V
Chassis Mount
1
3.880136 oz
Bulk
75 A
APTGT50
厂商
Microchip Technology
Active
1.7 kV
包装
Tube
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
312 W
配置
Single
元素配置
Single
功率 - 最大
312 W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.7 kV
最大集电极电流
75 A
最大集极截止电流
250 µA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700 V
输入电容
4.4 nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 50A
连续集电极电流
75
IGBT类型
Trench Field Stop
NTC热敏电阻
Yes
输入电容(Cies)@Vce
4.4 nF @ 25 V
产品
IGBT Silicon Modules
辐射硬化
No