包装/外壳

SOT-227-4

安装类型

Chassis Mount

供应商器件包装

ISOTOP®

Details

1200 V

543 W

- 55 C

+ 150 C

20 V

Chassis Mount

1

POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP

1.058219 oz

Tube

128 A

APT75GP120

厂商

Microchip Technology

Active

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

配置

Single

功率耗散

543

功率 - 最大

543 W

输入

Standard

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

最大集极截止电流

1.25 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 75A

连续集电极电流

128

IGBT类型

PT

NTC热敏电阻

No

输入电容(Cies)@Vce

7.04 nF @ 25 V

产品

IGBT Silicon Modules

高度

9.6 mm

长度

38.2 mm

宽度

25.4 mm