![MMIX4B20N300](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
28 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
24-SMD Module, 9 Leads
晶体管元件材料
SILICON
3kV
4
操作温度
-55°C~150°C TJ
系列
BIMOSFET™
已出版
2012
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
9
最大功率耗散
150W
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
JESD-30代码
R-PDSO-G9
配置
Full Bridge
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
150W
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
3.2V
最大集电极电流
34A
电压 - 集射极击穿(最大值)
3000V
接通时间
608 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.2V @ 15V, 20A
关断时间-标准值(toff)
695 ns
NTC热敏电阻
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MMIX4B20N300 PDF数据手册
- 数据表 :