![FII24N170AH1](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
i4-Pac™-4, Isolated
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
18A
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
UL RECOGNIZED
端子位置
SINGLE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
5
JESD-30代码
R-PSIP-T5
配置
Half Bridge
功率 - 最大
140W
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
100μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
接通时间
100 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
6V @ 15V, 16A
关断时间-标准值(toff)
275 ns
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
No
输入电容(Cies)@Vce
2.4nF @ 25V
RoHS状态
RoHS Compliant
FII24N170AH1 PDF数据手册
- 数据表 :