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IXTQ182N055T

型号:

IXTQ182N055T

品牌:

IXYS

封装:

TO-3P-3, SC-65-3

描述:

MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-3P-3, SC-65-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 182A Tc

  • 10V

  • 1

  • 360W Tc

  • 53 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    TrenchMV™

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 引脚数量

    3

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    360W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    5m Ω @ 25A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4850pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    114nC @ 10V

  • 上升时间

    35ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    38 ns

  • 连续放电电流(ID)

    182A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.005Ohm

  • 漏源击穿电压

    55V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    490A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    1000 mJ

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

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