![IXTQ182N055T](https://static.esinoelec.com/200dimg/ixys-ixgq90n33tcd1-4756.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
182A Tc
10V
1
360W Tc
53 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
TrenchMV™
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
360W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5m Ω @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4850pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
114nC @ 10V
上升时间
35ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
38 ns
连续放电电流(ID)
182A
漏极-源极导通最大电阻
0.005Ohm
漏源击穿电压
55V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
490A
雪崩能量等级(Eas)
1000 mJ
RoHS状态
RoHS Compliant
IXTQ182N055T PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :